压差检漏仪NLT-130-NAKK-压差检漏仪

自动调零：将测量前的值重置为零

抓住：峰值保持（大值）

比较输出格式：继电器接点输出

取样数量：100次/秒（可通过设置改变）

移动平均线：执行设定次数的移动平均处理。（也可以设置次数）

电源：AC100V~240V/DC12V~48V 50/60Hz

显围：0~±9999

准确性：±0.3%FS/℃

压力范围：-100kPa 20kPa 50kPa

100kPa 300kPa 500kPa 1MPa

管道连接直径：Rc (PT) 1/4（传感器安装部分）

环境温度：0～50℃

比较输出：显示值>上限值

多测试系统

WL15VWI

四个同时测定GBT， MOSFET， SBD， FRD， IPM，NLT-330压差检漏仪， IPD，NLT-220压差检漏仪， Chip

2000 V / 30 A

四个同时测量方法例

+ 2000 V±20毫安

±128 V±5 A

±60 V±30 A

±64 V±160毫安

32个同时测量可能

高真空度而言，压差检漏仪，高温低温开始到业界水平，5 kv高耐压泄漏试验。

次世代ー半导体材料的SiC /氮化也对应

WL25MV

8万台（AC / DC / DC））

数据集中管理、控制（多产品Window）

稳定生产环境提供

过电流保护功能，动态特性试验中的设备破坏

特征

Vsus，IDP，TG的判定及可以显示

短短数ms（测量条件的不同，压差检漏仪NLT-130，不同）测试完毕

2站跷跷板跷跷板

线圈用固定线圈，外观也测量也安装。

TG监视，测试程序中被的线圈以外被安装时，可检测

Item／項目Setup range／設定範囲 Resolution power／分解能

drain electric current（ID）0.5A～100.0A0.1A

drain voltage（VD） 10.0V～200.0V0.1V

gate forward voltage（VGS）0.0V～30.0V0.1V

gate reverse voltage（VGR）-0.0V～-30.0V0.1V

area designated electric current （IH/IL）0.2A～100.0A0.1A

Vsus limit（V-GATE）10V～2000V1V